SiLM27519 器件(jiàn)是单通(tōng)道高速(sù)低边(biān)门极驱动器,可有效驱(qū)动 MOSFET 和 IGBT 等功率(lǜ)开关。SiLM27519 采用一种能够从内部极(jí)大的(de)降低直(zhí)通电流的(de)设计,将高(gāo)峰(fēng)值的源电流和灌电流脉冲提供给电容负(fù)载,以实现轨到轨的驱(qū)动能力和(hé)典型值仅为 18ns 的极小传播延迟。
SiLM27519 在(zài) 12V 的 VDD 供电情况下,能够提供 4A 的峰值源电(diàn)流和 5A 的峰值灌电(diàn)流。
低(dī)成本的门(mén)极驱动方(fāng)案可(kě)用于(yú)替代 NPN 和 PNP 分离器件方案
4A 的峰(fēng)值源(yuán)电流和 5A 的峰值(zhí)灌(guàn)电流能(néng)力
快速的传输延(yán)时(典型值为 18ns)
快(kuài)速的上升和下降时间(jiān)(典(diǎn)型(xíng)值为 7ns/5ns)
4.5V 到 20V 的单电源范围
VDD 欠压闭锁功能
兼容 TTL 和 CMOS 的输入逻辑电压阈(yù)值
双输入设计(可选择(zé)反相或(huò)非反相驱动(dòng)配置)
输入浮空时(shí)输出保持(chí)为低
工(gōng)作温度范围为 -40°C 到140°C
提(tí)供 SOT23-5 的封装(zhuāng)选项
400 080 9938